تعد البلورات ذات الشحنات المختلفة (السالبة والموجبة) المكونات الرئيسية التي يتألف منها الترانزستور، حيث تُوضع متلاصقة لتكون في ذلك ما يعرف باسم الترانزستور الاتصالي Junction Transistor. ويوضح الشكل (12 – 6) رسما تخطيطيا لمكونات الترانزستور الاتصالي والذي يحتوي على ثلاثة أطراف هي:

• الباعث Emitter ويرمز له بالرمز E، وهو بلورة متوسطة الحجم من مادة لأشباه الموصلات سالبة الشحنة (N–type) حيث تعتبر مصدر انبعاثات الإلكترونات.
• القاعدة Base ويرمز لها بالرمز B، وهو بلورة لمادة من أشباه الموصلات صغيرة الحجم موجبة الشحنة (type–P) تُوضع بين الباعث والمجمع بحيث تسمح للإلكترونات المنبعثة بالمرور من خلالها.
• المجمع Collector ويرمز له بالرمز C ويمثل الطرف الثالث الأخير من الترانزستور الاتصالي وهو عبارة عن بلورة لمادة من أشباه الموصلات كبيرة الحجم سالبة الشحنة (N–type) تجمع الإلكترونات المنبعثة من طرف الترانزستور الأول (الباعث).

وعلى النقيض من ترتيب البلورات السالبة والموجبة المؤلفة لأطراف النوع السابق من الترانزستورات المعروفة باسم NPN، فإن ترتيب أطراف النوع الآخر من الترانزستورات المعروف باسم PNP تتألف أطرافه وفقا للترتيب التالي: P–type N–type P–type.

ويبين الشكل (12 – 6 «جـ») كيفية وضع الوصلات بين مكونات الترانزستور من النوع NPN بحيث تتكون من زوج من الوصلات موضوعتين ظهرا لظهر، الأولى بين الباعث والقاعدة، والثانية وصلة بين القاعدة والمجمع. ورجوعا إلى هذا النمط من الوصلات يسمى الترانزستور في هذه الحالة بالترانزستور شائي قطب الالتقاء (BJT) Bipolar Junction) Transistor. وكما هو مبين بالشكل، ففي هذا النوع من الترانزستورات تقوم القاعدة B بعمل مفتاح تشغيل أو غلق On/Off كهربي متناهي الدقة. حيث يتسبب مرور التيار من الباعث E إلى القاعدة B في توليد مقاومة منخفضة بين المجمع C والباعث E مما يؤدي إلى فتح طريق لمرور التيار ليكون الترانزستور في وضع التشغيل، ويؤدي غياب التيار من السريان إلى القاعدة B إلى عدم مروره من القاعدة B إلى الباعث E وبذلك يكون الترانزستور في وضع الغلق.

الشكل (12 – 6): صورة لترانزستور اتصالي من النوع NPN (أ) مبين فيه رسم تخطيطي لمقطعه الداخلي (ب) وكيفية انتقال الإلكترونات من البلورات السالبة C وE لتحتل مواقع الفراغات الموجبة الموجودة بالقاعدة B (جـ) (المصدر: تم تنفيذ الشكل بواسطة مؤلف هذا الكتاب).