لن تجد الصناعات الإلكترونية أفضل من الأسلاك النانوية كمواد فريدة لصنع الجيل الجديد من الترانزستورات والدوائر الإلكترونية المتناهية الصغر. ولتحقيق هذا الغرض، يُؤلف هيكل الترانزستور من ترتيب مجموعة ضخمة من تلك الأسلاك النانوية، إما عن طريق توجيهها وتعليقها بصورة رأسية على سطح قاعدة مادة الترانزستور، كما هو موضح بالشكل (8 – 8 «أ»)، أو بترسيبها – بإحدى الطرق الكيميائية – على هيئة طبقات (الشكل 8 – 8 «ب»).

الشكل (8 – 8): صور مأخوذة بواسطة الميكروسكوب الماسح الإلكتروني لنماذج أولى من ترانزستورات متناهية الصغر مخلقة من مواد لأشباه الموصلات على هيئة: (أ) أسلاك نانوية رأسية لمادة نيتريد الغاليوم GaN تم تعليقها وتوجيهها في شكل راسي ⁽³³⁾، (ب) طبقات مؤلفة من مركب فوسفور الإنديوم InP ⁽³⁴⁾.

ومن الاستخدامات الراهنة والمستقبلية للأسلاك النانوية، نذكر ما يلي:

• الترانزستورات المستخدمة في تصنيع المعالجات الصغيرة Microprocessors في الحواسب والأجهزة الإلكترونية الدقيقة النظم الكهربائية والميكانيكية المايكرومترية والنانومترية الخاصة بأجهزة الروبوت النانوية Nanorobots، المزمع توظيفها في التعامل الموضعي مع الأورام السرطانية، وذلك عن طريق إدخالها جسم الإنسان المصاب عبر دورته الدموية.
• من المعتقد أن تؤدي الأسلاك النانوية دورا مهما في تصنيع الحواسب الكمومية Quantum Computers.
• صناعة الخلايا الشمسية الفوتوفولتية.
• الحساسات والمجسات النانوية Nanosensors.
• صناعة دوائر التوصيل الإلكترونية الخاصة بالشرائح التي ستستخدم في تحليل الحمض النووي Deoxyribonucleic Acid DNA للإنسان، وتحديد الصفات الوراثية له.

_______________________________________
هوامش

(33) M. Law, et al., Annu. Rev. Mater. Sci., Vol. 34 (2004) pp. 83–92.

(34)S. De Franceschi, et al., Appl. Phys. Lett., Vol. 83 (2003) pp. 344–347.