المرجع الألكتروني للمعلوماتية
القرآن الكريم وعلومه
العقائد الإسلامية
الفقه وأصوله 
الرجال والحديث 
سيرة الرسول وآله 
علوم اللغة العربية 
الأدب العربي 
الأسرة والمجتمع 
الأخلاق والأدعية 
التاريخ 
الادارة والاقتصاد 
علم الفيزياء 
علم الكيمياء 
علم الأحياء 
الرياضيات 
الهندسة المدنية 
الزراعة 
الجغرافية 
القانون 
اللغة الأنكليزية 
الأخبار 
الإعلام 
مكتبة الصور 
أقلام بمختلف الألوان 
إضاءات
مفتاح
أجوبة الإستفتاءات الشرعية
وثائقيات
الفيزياء الكلاسيكية
الكهربائية والمغناطيسية
علم البصريات
الفيزياء الحديثة
النظرية النسبية
الفيزياء النووية
فيزياء الحالة الصلبة
الليزر
علم الفلك
المجموعة الشمسية
الطاقة البديلة
الفيزياء والعلوم الأخرى
مواضيع عامة في الفيزياء| الترانزستور المتكامل Integrated transistor |
 2102
 12:44 صباحاً
التاريخ: 11-10-2021 |
المؤلف : الدكتور صبحي سعيد الراوي 
الكتاب أو المصدر : فيزياء الألكترونات 
الجزء والصفحة : 618|
أقرأ أيضاً
التاريخ: 9-10-2021
1937
التاريخ: 2025-02-18
314
التاريخ: 12-9-2021
1603
التاريخ: 1-10-2021
1801
|
الترانزستور المتكامل Integrated transistor
يصنع الترانزستور بنفس طريقة تصنيع الثنائي ويبين الشكل (1) الكيفية التي يتم بموجبها تصنيع الترانزستور على جزء من طبقة الاساس لبلورة احادية متكاملة. لهذا السبب فان الخطوات المتبعة في تصنيع الثنائي. ستكون هي نفسها هنا حتى عملية تغطية السطح للرقاقة كله باوكسيد السيلكون SiO2 - أنظر الشكل (1أ)
الشكل (1): طريقة تصنع الترانزسور المتكاملة.
لتكوين الباعث نحفرشباكا في طبقة ال SiO2 لكشف الجزيرة من نوع P - الشكل (1ب) – وتنشر ذرات خماسية التكافؤ في جزيرة P . بهذه العملية نكون قد كونا جزيرة صغيرة من نوع - n فوق جزيرة P - الشكل (1ج ). بعدها نوقف النشاط الكيمياوي للتركيب وذلك بنفخ الاوكسجين على سطح الرقاقة لتكوين اوكسيد السيلكون مرة اخرى — أنظر الشكل ( 1د ) .
يتم ترسيب المعدن عن طريق حفر فتحات في طبقة SiO2 ، ليقوم بالتوصيل الكهربائي مع الباعث والقاعدة والجامع وبهذه الطريقة نكون قد حصلنا على الترانزستور المتكامل-الشكل(1 ج)..
|
|
|
|
التوتر والسرطان.. علماء يحذرون من "صلة خطيرة"
|
|
|
|
|
|
|
مرآة السيارة: مدى دقة عكسها للصورة الصحيحة
|
|
|
|
|
|
|
نحو شراكة وطنية متكاملة.. الأمين العام للعتبة الحسينية يبحث مع وكيل وزارة الخارجية آفاق التعاون المؤسسي
|
|
|
