دوائر منظمات الجهد المزودة بحماية ضد زيادة الجهد والتيار الدائرة رقم 2
المؤلف:
الإلكترونيات الرقمية وتطبيقاتها العملية
المصدر:
م. احمد عبد المتعال
الجزء والصفحة:
ص147
2026-05-11
292
الشكل ( 1 ) يعرض دائرة منظم جهد مزودة بحماية ضد زيادة جهد خرج المنظم عن V5 + ؛ نتيجة لتلف المنظم، وهذه الدائرة تستخدم في تغذية الدوائر المتكاملة TTL لمنع زيادة الجهد للحد الذى يؤدى لتلف هذه الدوائر المتكاملة.
عناصر الدائرة :
D1ثنائی زینر جهده V 4.7 وقدرته mw 400.
Q1ترانزستور PNP طراز3702 2N .
Q2ثايرستور تیاره A 2 وجهده الأقصى V50.
R1مقاومة كربونية ΩK 1 .
R2 مقاومة كربونية Ω 47K.
R3 مقاومة كربونية 100Ω .
F1 مصهر حماية يختار حسب تيار الدائرة الأقصى المسموح به.
IC1 منظم جهد ثلاثي الأرجل طراز 7805.
الشكل(1)
نظرية التشغيل
عند زيادة جهد الخرج عن جهد ثنائى الزينر بمقدار V 0.7 فإن الترانزستور Q1 سيتحول لحالة الوصل لوجود فرق جهد بين باعث وقاعدة هذا الترانزستور قيمته V 0.7 متشكل على أطراف المقاومة R، فيصبح جهد مجمع الترانزستور Q مساوياً لجهد المصدر، وينتقل جهد مجمع 1Q إلى بوابة الثايرستور Q2 فيتحول الثايرستور الحالة الوصل فيحدث قصر على دخل منظم الجهد IC1، فيزداد تیار دخل المنظم للحد الذي يؤدى لانهيار المصهر 1F.
0
0
لا توجد تعليقات بعد
ما رأيك بالمقال : كن أول من يعلق على هذا المحتوى
الاكثر قراءة في الألكترونيات
اخر الاخبار
اخبار العتبة العباسية المقدسة
