إلى ما قبل تطوير ترانزستور ثنائي القطبية معزول البوابة  (Insulated Gate Bipolar Transistor» IGBT)») استخدم الترانزستور MOSFET للتطبيقات ذات القدرات الصغيرة والمتوسطة التي تتطلب سرعة مفتاحية عالية، بينما استخدم الترانزستور ثنائي القطبية (BJT) للتطبيقات ذات القدرات المتوسطة التي تتطلب تيارات عالية نسبياً.

إن ما يميز الترانزستور MOSFET مقاومة دخله العالية؛ مما يجعل من السهل بناء دارة التحكم بالبوابة. ومن عيوبه أن مقاومته في حالة التوصيل تزداد إذا زاد جهد الانهيار وبالتالي يحدث هبوط في الجهد على أطراف الترانزستور وبالتالي يبتعد عن حالة المفتاح المثالي (مقاومته = 0 في حالة التوصيل ومالا نهاية في حالة الفصل). إن ما يميز الترانزستور BJT مقاومته الصغيرة في حالة التوصيل، ومن عيوبه مقاومة دخله صغيرة مما يجعل من الصعب تصميم وبناء دارة التشغيل.

لقد تم تصميم ترانزستور IGBT ليجمع بين مزايا النوعين السابقين بحيث يكون مدخل المفتاح عبارة عن ترانزستور MOSFET لتكون دارة التحكم بالبوابة سهلة ويكون خرج المفتاح عبارة عن ترانزستور ثنائي القطبية BJT ليكون المفتاح قريباً جداً من المفتاح المثالي.

استخدم الترانزستور IGBT في التطبيقات التي يزيد جهدها عن 300 فولت، وفي تطبيقات ذات تيارات عالية مثل عاكسات القدرة والتحكم بسرعة المحركات.